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由于拐点电流已被人为地规定了下来，因此压敏电压UN一般用更直观的符号－U1mA或U0.1mA－表示，就更加方便，目前几乎所有的压敏电阻生产商都使用U1mA或U0.1mA来表示压敏电压。  从上面对压敏电压的定义上看，“压敏电压”一词已完全失去了其原有的拐点的含义。这是电子测量学和标准化与压敏电压的真实含义之间相互妥协的结果。多年的实践经验表明：IEC定义的压敏电压与实际拐点电压虽然在数值上不相等，但在大多数情况下也比较相近，IEC定义的压敏电压可视为拐点电压的近似值。在判定产品的压敏电压是否合格时，我们只能使用IEC的规定的方法，而不能使用测量实际拐点电压的方法（如晶体管图示仪测量法）。

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ZnO压敏电阻实际上是一种伏安特性呈非线性的敏感元件，在正常电压条件下，这相当于一只小电容器，而当电路出现过电压时，它的内阻急剧下降并迅速导通，其工作电流增加几个数量级，从而有效地保护了电路中的其它元器件不致过压而损坏，它的伏安特性是对称的，如图(1)a 所示。这种元件是利用陶瓷工艺制成的，它的内部微观结构如图(1)b 所示。微观结构中包括氧化锌晶粒以及晶粒周围的晶界层。氧化锌晶粒的电阻率很低，而晶界层的电阻率却很高，相接触的两个晶粒之间形成了一个相当于齐纳二极管的势垒，这就是一压敏电阻单元，每个单元击穿电压大约为3.5V，如果将许多的这种单元加以串联和并联就构成了压敏电阻的基体。串联的单元越多，其击穿电压就超高，基片的横截面积越大，其通流容量也越大。压敏电阻在工作时，每个压敏电阻单元都在承受浪涌电能量，而不象齐纳二极管那样只是结区承受电功率，这就是压敏电阻为什么比齐纳二极管能承受大得多的电能量的原因。

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